在檢查確認了第一顆碳化矽晶材沒什麼問題後，韓元又將剩下的幾十顆碳化矽晶材按照不同的需求都加工了出來。
關掉車床的電源，韓元轉身進了儲物間，從牆角翻出來了一個木箱子。
木箱裡面，是一塊塊的黃白色板狀物體，從裡面取出來一大塊板狀材料後，韓元又蓋上了塑料膜，將箱子合上塞回了牆角。
彈幕上有觀眾好奇的詢問這是什麼，韓元隨口回道：「這是石蠟，等會用來雕刻碳化矽晶材用的。」
【石蠟可以用來雕刻碳化矽嗎？】
【我記得石蠟沒腐蝕性吧？】
【石蠟不就是蠟燭嗎？】
【話說前面的直播你們都看到屁眼裡面去了嗎？主播之前不是就說過用氫氟酸才可以侵蝕碳化矽嗎？】
【石蠟肯定不可能用來腐蝕矽，他是用來做保護層的，你們去搜一下玻璃是怎麼雕刻的就知道石蠟是用來幹啥的。】
看到彈幕，韓元笑了笑，回道：「有觀眾說的沒錯，碳化矽其實也是矽基材料。」
「而因為矽的特殊性質，除了含有氟的酸外，它對於一般的強酸或者強鹼並不反應。」
「這也是實驗室中很多玻璃容器的原因，因為耐腐蝕。」
「要雕刻碳化矽晶材自然是用氫氟酸，石蠟的作用是做鍍層，防止氫氟酸侵蝕其他不需要雕刻的地方。」
「原理其實就和雕刻玻璃花紋一樣，先在玻璃上刷一層石蠟，然後刻上所需要的花紋」
「再在花紋處刷一層氫氟酸，放置一段時間後洗去石蠟，刻好的花紋處自然就會被氫氟酸腐蝕掉。」
「如果對這個感興趣，大家可以自己動手嘗試一下的。」
「比如有女朋友的可以帶女朋友親手雕刻一件兩人一起刻畫的玻璃，紀念效果還是很不錯的。」
「不過要注意的是，氫氟酸雖然是一種弱酸，有劇烈刺激性氣味。」
「而且還具有極強的腐蝕性，能強烈地腐蝕金屬、玻璃和含矽的物體，所以在使用過程中要小心一點。」
聞言，直播間裡面的彈幕迅速增加了起來。
雖然大家都喜歡看韓元攀升科技，但無奈的是越到後面越看不懂了。
但這種帶女朋友去玩雕刻玻璃的小事情就更受大部分人歡迎了。
【學到了！】
【這個六，完全可以。】
【日常哄女朋友技巧+1。】
【這主播是個渣男吧？之前就講過好多這類型的技巧了，什麼帶女生去捏陶瓷啊，什麼diy塑料花啊，什麼手工製造風車啊，全都是套路。】
【我想問問，沒女朋友的怎麼辦？】
【同問。】
【我在等國家發女朋友。】
........
帶著石蠟回到實驗室的韓元看了眼彈幕，笑著調侃了一句：「沒女朋友的，還不趕緊去找一個？」
「要不你的五指姑娘都要罷工了。」
調侃了一句，韓元將重心放回了實驗上。
拿出來的石蠟敲成塊後放入玻璃杯中用酒精燈加熱融化。
然後用毛刷粘上融化後的石蠟在粗製的碳化矽晶材上刷上薄薄的一層。
等待晶材表面的石蠟冷卻凝固後，再用小刻刀將需要侵蝕的部分上的石蠟清理乾淨，露出裡面的碳化矽。
最後再刷上一層之前就製備好的氫氟酸，等待半個小時左右。
漫長的時間中，氫氟酸會將沒有石蠟保護部分的碳化矽中的矽分子腐蝕掉，方便後續鋁離子的嵌入以及極點的鑲嵌。
這種做法，是他理解原始電晶體以及集成電路製備方法後結合定下來的。
雖然他現在沒有光刻機，也暫時沒法製造集成晶體板。
但這並不代表他不能使用集成晶體的製造方式來製造碳化矽電晶體。
相對比原始電晶體，這種方式製備的碳化矽半導體電晶體體積更小，也更加穩定。
而且因為應用了集成電路的侵蝕鍍刻，在功率、響應效率和使用壽命上也更加強大。
如果說原始的電晶體需要五千顆才能達到每秒百萬次的運算量的話。
那這種碳化矽晶材加特殊手法製備的電晶體大概兩千多顆就夠了。
雖然數量上還是很龐大，但相對比電子管動輒百萬顆的數量來說，兩千顆電晶體已經很少了。
等待了三十分鐘，韓元將被侵蝕的差不多的碳化矽晶材用清水清晰乾淨，然後再重複幾次這個步驟。
氫氟酸雖然能侵蝕碳化矽，但需要多次重複侵蝕才能達到他的要求。
需要的時間自然就很漫長了。
耗費了一上午的時間，三十顆粗加工的碳化矽晶材才處理完成。
這些晶材依舊使用功能的不同，形狀不同，被侵蝕的部位也不同，而且需要侵蝕的程度也不同。
處理好這些碳化矽晶材後，韓元先弄了點午餐，吃完後就立刻回到了實驗室，並沒有按照以前的方式休息一會。
他現在想儘快完成這個二級任務。
回到化學實驗室，韓元從儲物間中取出來硫酸、硝酸等一些下午需要用材料。
「昨天我跟大家講過了，三電晶體一共有三層，每一層的物質組成結構和作用都不同。」
「上午我處理好的碳化矽晶材，就是一層，也是碳化矽電晶體的主體。」
「而現在，我要來給主體來添加另外兩層極點了。」
「這次我製備的電晶體，從功能上來說，屬於信號放大電晶體。」
「所以我需要按照昨天講解的方式，給他添上N-漂移層和P阱，來起到聚集電子和放大電信號的作用。」
「至於材料，N-漂移層和昨天講解一樣，用的是鋁，不過並非是簡單的用鋁包裹一層。」
「而是需要將鋁製備成鋁離子，然後注入到上午侵蝕出來的溝槽中，從而形成穩定的N-漂移層。」
「所以我現在需要先將鋁離子製備出來。」
一邊講解，韓元一邊動手處理材料。
鋁離子的製備對已經掌握了初級化工應用知識信息的他來說很簡單。
用硫酸鹽或者氯鹽在強氧化劑的保護下就可以製備出來。
而且製備出來的鋁離子含量還相當高，足夠他用來製造電晶體中的N-漂移層了。 |
